Загрузка...
Учебная работа. Доклад: Интегральные микросхемы серии 500
Серия 500 является системой быстродействующих логических запоми нающих и специальных элементов ЭСЛ-типа.
Интегральные микросхемы серии 500 предназначены для применения втехнических средствах и используются для построения быстродействующихустройств (процессоры,каналы,устройства управления оперативными ивнешними ЗУ и т.п.) Единой Системой ЭВМ.
ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ особенности ЭЛЕМЕНТОВ ЭСЛ ТИПА.
ИМС серии 500 обладают рядом положительных качеств, которыеобеспечивают их оптимальное использование в быстродействующей цифро вой аппаратуре:
1) высоким быстродействием;
2) широкими логическими возможностями;
3) постоянством потребления мощности при повышении частоты;
4) большой нагрузочной способностью;
5) постоянством тока потребления от источника основногонапряжения;
6) малой критичностью динамических параметров к технологиипроизводства;
7) хорошим соотношением фронта сигнала к его задержке;
8) высокой стабильностью динамических параметров в диапазонерабочих температур и при изменении напряжения электропитания;
ОПИСАНИЕ базового ЭЛЕМЕНТА
Повыходу У1 реализуется функция «И-НЕ» (инверсный выход), по выходу У2реализуется функция «И» (прямой выход). Схема элемента состоит из то кового переключателя,содержащего две ветви: первая ветвь на транзис торах Т1,Т2; вторая — на транзисторе Т3. Мощность токового переключа теля равняется 10 мВт.
Логические уровни «0» и «1» — 0,8 и 1,6 В соответственно.
ПРИНЦИП работы БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА
Случай 1: На все входы элемента одновременно подаются сигналы
соответствующие логической единице, транзисторы Т1 и Т2 закрываются,а транзистор Т3 открывается, так как напряжение на его базе выше, чемна базах транзисторов Т1,Т2, и через него проходит ток, задаваемыйсопротивлением Rо. Этот ток, уменьшенный на база-эмитер транзис торов эмитерных повторителей Uбэо=-0,8 В получим на прямом выходе-1.6 В, а на инверсном выходе — 0,8 В .
случай 2: На один вход элемента, например вход 1, подается сиг нал, соответствующий логическому нулю, транзистор Т1 открывается, атранзистор Т3 закрывается. В этом случае на прямом выходе У2 уровеньнапряжения будет -0,8 В, а на инверсном -1,6 В.
ОПИСАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ параметров
Транзисторы элемента работают в диапазоне от -1,3В до -0,3В. Вактивной области меньше -1,3 В транзисторы работают в отсечке, выше-0,3 В входят в режим насыщения.Транзисторы работают в ненасыщенномрежиме, благодаря чему из задержек переключения исключается рассасы вание заряда в транзисторе, увеличивается скорость переключения изодного логического состояния в другое. Порог переключения элементасоставляет -1,2 В. Выходные эмиттерные повторители обеспечивают малоевыходное сопротивление микросхемы, что удобно при согласовании эле ментов в процессе построения многокаскадных схем. Сопротивление Rк1=365 Ом выбрано меньше сопротивления Rк2 = 416 Ом из-за разницы напря жений на базах в токовом переключателе, так на базах транзисторовТ1,Т2 напряжение -0,8 В а на базе Т3 постоянно -1,2 В. Если допуститьизменение сопротивления Rк1 в большую сторону, то увеличится напряже ние на базе соответствующего эмиттерного повторителя и он призакроет ся,и если транзистор Т1 или Т2 открыты,то увеличится напряжение наинверсном выходе. (В этом и последнем предложении напряжение рассмат ривается как разность потенциалов).
В случае изменения сопротивления Rк2 — ситуация аналогична, из менение сопротивления Rо в большую сторону приводит к уменьшению то ка,протекающего по открытому транзистору,и уменьшению напряжения набазе эмиттерного повторителя, соответственно уменьшается выходноенапряжение.
ОПИСАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Динамические параметры базового элемента зависят от сопротивле ния и емкости нагрузки. При емкости нагрузки, равной нулю, и увеличе нии сопротивления нагрузки,время фронта нарастания и спада сигнала, атакже время переключения элемента — уменьшается. Это происходит из-затого, что уменьшается входная емкость и вместе с ней время переходно го процесса. Но при емкости нагрузки, отличной от нуля, характер пе реходных процессов изменяется. Время фронта Uвых(t+) при увеличениисопротивления нагрузки продолжает немного уменьшаться, а время фронтаи время переключения Uвых(t-) начинает рости, и колебательный процессна выходе Uвых(t+) становится более выраженным. Для уравнивания вре мени переключения с «1» в «0» и с «0» в «1», а также для уменьшениябросков напряжения на Uвых(t+) при переходных процессах выбираетсяRн=100 Ом.
РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ параметров
РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА
важнейшими характеристиками ИМС серии 500 являются входная,пере даточная и выходная характеристики.
ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Входная характеристика используется для определения нагрузочнойспособности элементов при работе на аналогичные элементы или при под ключении их в качестве нагрузки к специальным элементам , а также дляоценки помехозащищенности элементов. Входная характеристика представ ляет собой зависимость входного тока от входного напряжения.
На входной характеристике ЭСЛ элемента можно выделить четыре об ласти, соответствующие четырем возможным режимам работы входной цепиИС: 1 — входной транзистор закрыт ; входной ток определяется сопро тивлением базового резистора,подключенного ко входу; 2 — происходитотпирание входного транзистора; нелинейный участок определяется воз растающим базовым током входного транзистора; 3 — входной транзистороткрыт; входной ток незначительно увеличивается из-за увеличенияэмиттерного тока ТП и увеличения тока через базовый резистор; 4входной транзистор открыт до насыщения; базовый ток транзистора зна чительно увеличивается при повышении входного напряжения (режим нерабочий).
ПЕРЕДАТОЧНАЯ характеристика
Передаточная характеристика представляет собой зависимость вы ходного напряжения микросхем от входного напряжения при переключениисхемы из одного состояния в другое. На передаточной характеристикеможно выделить четыре области : 1 — область установившгося значениянизкого выходного напряжения лог.»1″ для прямого и высокого напряжения лог.»0″ для инверсного выходов; 2-зона переключения из «1» в «0»для прямого и из «0» в «1» инверсного выходов ; 3 — область устано вившегося значения «0» для прямого и «1» для инверсного выходов ( вэтой области характеристика имеет некоторый наклон, вследствие неидеальности генератора тока ТП ) ; 4 — область насыщения для инверсногоплеча ТП.
Передаточная характеристика основного элемента может быть ис пользована для анализа выходных уровней напряжения в различных режи мах работы , оценки формирующих средств и помехозащищенности элемен тов , определения их совместной работы с другими логическими элемен тами или специальными элементами.
РАСЧЕТ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ базового ЭЛЕМЕНТА
На положительном фронте при активно-емкостной нагрузке наблюда ется колебательный режим. Чем больше Cн , тем этот процесс наиболеевыражен ,также наблюдается наибольший выброс и время установленияtф(+) открытого транзистора.
На tф(-),соответствующему фронту запирания транзистора характерпереходного процесса может измениться, в зависимости от того закрыва ется или нет ЭП . Если ЭП не закрыт на tф(-),то характер процессаповторяется как для tф(+) (колебательный режим). Если tф(-) ЭП закрыт, то характер переходного процесса резко нарушается и имеет вид эк споненциальной функции разряда Cн на Rн.
характер процесса можно определить по следующим формулам :
tф > Cн х Rн — колебательный (транзистор открыт)
tф < Cн х Rн - переходной (транзистор закрыт)
высокое быстродействие ИМС серии 500 обеспечивается специальнойсхемотехникой ЭСЛ ИМС — работой транзистора в ненасыщенном режиме,малой амплитутой сигнала,низкими выходным сопротивлением и технологи ей изготовления ИМС.
Основными динамическими параметрами ИМС серии 500 являются за держка распростронения информайии в элементе и фронт переключения изодного логического состояния в другое.
Динамические параметры ИМС серии 500,работающие в составе аппа ратуры,определяются в основном параметрами элементов, величинами наг рузочного сопротивления Rн и суммарной нагрузочной емкости Сн, под ключенных к выходу элемента. Динамические параметры ИМС серии 500незначительно зависят от отклонения напряжения электропитания и изменения температуры окружающей среды.