(5 оценок, среднее: 4,80 из 5)
Загрузка...
Учебная работа. Проектирование многофункционального пробника
Введение
Обширное развитие радиоэлектроники и внедрение её во все отрасли науки и техники является реалией нашего времени. Применение радиоэлектронной аппаратуры почти во всем обуславливает большой рост эффективности производства, увеличение свойства продукции, дает возможность научным достижениям. Фактически во всех областях познаний прогресс немыслим без широкого использования электроники. Конкретно потому радиоэлектроника, зародившаяся всего несколько десятилетий вспять, является бурно развивающейся областью техники. За этот период времени радиоэлектронная аппаратура прошла несколько шагов развития, любой из которых дозволял резко наращивать количество функций, которые делает аппаратура, увеличивать их сложность и сразу при всем этом сокращать вес и размеры аппаратуры, увеличивать ее надежность и снижать потребление энергии.
К аппаратуре первого поколения относят радиоэлектронную аппаратуру, построенную на электровакуумных лампах.
Ко второму поколению относится аппаратура, базу которой составляли полупроводниковые приборы.
Третьего поколение аппаратуры обусловили интегральные схемы среднего уровня интеграции. В аппаратуре резко уменьшилось количество частей и соединений меж ними. В связи с сиим во много раз уменьшились масса и габариты, повысилась надежность и функциональность радиоэлектронных изделий.
4-ое поколение — это аппаратура, построенная с внедрением интегральных схем завышенной степени интеграции; аппаратура, в какой используются огромные интегральные схемы с программируемой логикой (микропроцессорные комплекты), дозволяющие применять цифровую обработку инфы.
В истинное время развиваются РЭС 5-ого поколения, в каких находят применение приборы многофункциональной электроники.
В современной радиоэлектроники отыскали обширное применение однокристальные микроконтроллерные системы. Микроконтроллерные технологии весьма эффективны. Одно и то же устройство, которое ранее собиралось на обычных элементах, будучи собрано с применением микроконтроллеров, становиться проще. Оно не просит регулировки и меньше по размерам.
К главным тенденциям современной технологии производства РЭС относятся:
— Создание РЭС на безвыводных ЧИП-ЭРЭ и маленьких ЭРЭ с применением поверхностного монтажа;
— Применение инноваторских технологий на базе новейших материалов;
— Обширное применение систем автоматического проектирования технологических действий (САПР ТП).
разработка (от греческого «techne» — мастерство и «logos» — учение) — это совокупа познаний о методах и средствах проведения производственных действий, также сами процессы (технологические процессы), при которых происходят высококачественные конфигурации обрабатываемого объекта.
Новенькая разработка — это, владеющая наиболее высочайшими высококачественными чертами по сопоставлению с наилучшими аналогами, доступными на данном рынке, пользующаяся спросом и удовлетворяющая формирующимся либо будущим потребностям человека и общества.
Высочайшая разработка — это, владеющая наивысшими свойствами показателями по сопоставлению с наилучшими глобальными аналогами, пользующаяся спросом и удовлетворяющая формирующимся либо будущим потребностям человека и общества.
1. Общая часть
1.1 Анализ технического задания
анализ начальных данных, обозначенных в техническом задании, дозволяет найти главные характеристики разрабатываемого пробника функционального, также уяснить предназначение устройства и условия эксплуатации.
Преимущество разрабатываемого пробника функционального в том, что он является очень обычным как в управлении так и в изготовлении.
Первичное питание для пробника функционального — 220 В, 50 Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ). Вторичное электропитание обязано составлять +9 В.
Устройство обязано эксплуатироваться в умеренном климате. При всем этом категория критерий эксплуатации — в помещениях с искусственным климатом (4). В закрытом помещении с искусственным регулированием погодных критерий (вентиляция, отопление).
Режимы работы: логический пробник (предел измерений 0,8 — 3,7 В); генератор прямоугольных импульсов ( предел конфигурации от 0,5 мкс — до 5 мс); частотомер (предел измерений 1кГц — 100 МГц); счетчик событий; вольтметр (до 5 В); измеритель напряжение на p-n переходе; измеритель емкости конденсаторов (предел измерений 0,01 мкФ — 500 мкФ); измеритель индуктивности (предел измерений 0,01 мГн — 999,9 мГн);); генератор NTSC видеосигнала; генератор импульсов для сервоконтроллера (предел конфигурации от 1 — до 2 мс); генератор прямоугольных импульсов (частота от 1 Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ) — до 9999 Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ)); генератор случайных чисел (частота 10 кГц); генератор ИК (то есть тепловое, инфракрасное, на основе инфракрасного излучения) импульсов (несущая частота 38 кГц); генератор ШИМ импульсов (частота 6 кГц).
Диэлектрические материалы нужно подобрать так, чтоб не допустить пробивных напряжений (с огромным удельным сопротивлением).
Для обеспечения надежности функционирования устройства при действии воды нужно применить влагозащитные материалы (лаки, компаунды).
Для обеспечения механической прочности изделия необходимо избрать материал печатной платы с достаточной прочностью (стеклотекстолит).
Для защиты от вибраций, интегральную схему нужно накрепко закрепить в корпусе.
Органы управления и индикации, нужно вынести на переднюю панель и накрепко закрепить.
Вес устройства составляет не наиболее 300 г.
Габариты изделия должны быть не наиболее 125x70x30 мм.
Средняя наработка на отказ обязана быть не наименее 105 ч.
Месячные программки пуска 663 шт, выпуска — 650 шт.
На основании черт типов производства изготовка пробника функционального, можно отнести к серийному производству.
1.2 Разработка электронной структурной схемы
При разработке структурных схем употребляются последующие способы:
Эвристический способ — основан на скопленном опыте, анализе технической литературы и интуитивных суждений. На базе их анализа создаётся несколько моделей структурных схем, из их выбирается самая надёжная, самая обычная, самая дешёвая.
Математический способ — на базе начальных данных создаётся модель — математическое описание наружных действий. Проводится анализ модели, в которую заходит математический расчёт, моделирование на ЭВМ (Электронная вычислительная машина — комплекс технических средств, предназначенных для автоматической обработки информации в процессе решения вычислительных и информационных задач), испытание макетов. Выбирается модель, имеющая рациональные характеристики свойства.
Функциональное наращивание. На базе технического задания составляется список функций, которые обязано реализовывать разрабатываемое устройство. В согласовании с функциями приводится список устройств реализующих эти функции и строится структурная схема.
Для правильного выбора структурной схемы целенаправлено из имеющихся способов избрать способ многофункционального наращивания.
Таковым образом, главными функциями пробника функционального являются:
— формирование сигналов для индикатора, приём сигнала на вход и формирование сигнала на выход. Данную функцию может делать микроконтроллер;
— переключение режимов работы. Данную функцию может делать панель управления;
— отображение инфы. Эту функцию может делать устройство индикации;
— вторичное электропитание устройства. Данное устройство обеспечит питание пробника и дозволит включать его в сеть.
Из вышесказанного следует, что в состав часов со светодиодной индикацией входят последующие устройства:
1) микроконтроллер;
2) панель управления;
3) устройство индикации;
4) блок питания.
Тогда электронная структурная схема будет иметь вид, представленный на рисунке 1.
1.3 Разработка схемы электронной принципной
Принципная электронная схема разрабатывается на основании анализа начальных данных и принятой структурной схемы. задачка разработки электронной схемы проектируемого устройства заключается в выборе и обосновании принципных схем каскадов для реализации структурной схемы.
Сначала делается анализ узнаваемых схемных решений проектируемого каскада, приводится схема 1-го из их. И на основании анализа начальных данных и принятой структурной схемы выбирается более пригодная электронная схема. Аспекты выбора: простота, надежность, дешевизна при выполнении данных требований. Она быть может дополнена, улучшена новенькими схемными решениями.
Исходя, из разработанной структурной схемы пробника функционального принципная схема состоит из последующих многофункциональных узлов:
1) микроконтроллер;
2) панель управления;
3) устройство индикации;
4) блок питания.
В качестве управляющего устройства целенаправлено избрать микроконтроллер типа picl6f870 с кварцевым резонатором. Микроконтроллер серии picl6f870 производителен и экономичен. Имеет удачный для разводки платы и пайки корпус. Расстояния меж ножками относительно огромное. Обширно доступен в продаже. Дешевый. Условное графическое обозначение микроконтроллера приведено на рисунке 2.
Набросок 2 — Условно графическое обозначение микроконтроллера
В качестве устройства индикации целенаправлено применять светодиодные индикаторы, т.к. они дешевы и надежны, обеспечивают достаточную яркость свечения частей. Условное графическое изображение индикатора приведено на рисунке 3.
Набросок 3 — Схема электронная принципная устройства индикации
Для данного устройства, целенаправлено применять блок питания, обеспечивающий наличие стабилизированного напряжения +9В. Для получения данных напряжений нужно применять стабилизатор на +9В. Схема электронная принципная источника питания показана на рисунке 4.
Таковым образом, электронная принципная схема пробника функционального, имеет вид, представленный на рисунке 5.
Набросок 4 — Электронная принципная схема источника питания
1.4 Выбор элементной базы
Данный подраздел тесновато связан с разработкой принципной схемы. Следует стремиться к наибольшей микросхемизации разрабатываемого узла, да и учесть способности учебной вещественной базы производственных мастерских радиотехнического цикла.
Выбор электрорадиоэлементов (ЭРЭ) должен быть изготовлен так, чтоб обеспечить надежную работу узла, блока. При всем этом нужно стремиться к выбору дешевых частей и имеющих обширное применение в современных радиоаппаратах и добиваться наибольшей простоты сборки и электронного монтажа, регулировки и эксплуатации. Все ЭРЭ выбираются по справочной литературе и техническим условиям (ТУ).
В согласовании с разработанной принципной схемой, избираем электрорадиоэлементы для проектируемых часов со светодиодной индикацией избираем:
Резисторы R11…R13неизменные непроволочные резисторы, имеют минимальную ватность — 0,125Вт, с наибольшим отклонением от номинального значения сопротивления 5%; ТКС = 0,001; наибольшее рабочее напряжение Uраб мах = 200В. Избираем резисторы типа МЛТ, потому что они имеют малый вес, стоимость, габариты и паразитные характеристики.
R1,R7 — 100 Ом, МЛТ-0,125;
R2 — 510 Ом, МЛТ-0,125;
R3- 20 Ом, МЛТ-0,125;
R4- 150 Ом, МЛТ-0,125;
R5- 470 Ом, МЛТ-0,125;
R6,R10,R11,R12,R13 — 10 кОм, МЛТ-0,125;
R8 — 100 кОм, МЛТ-0,125;
R9 — 1 кОм, МЛТ-0,125;
Конденсаторы C2,C3 конденсаторы неизменной емкости оксидно-электролитическиe алюминиевыe, рассчитанные на наибольшее напряжение 25В, с наибольшим отклонением от номинального значения емкости 10%, ТКЕ = 0,01.Избираем конденсаторы К-10-35, они владеют большенный емкостью, в пересчете на единицу размера, низкой ценой и доступны.
С2 — 100 мкФ0,4; Uн(1,3-1,5);Uраб=25В;ТКЕ=10-3 1/С0;
С3 — 2200 мкФ0,4; Uн(1,3-1,5);Uраб=25В;ТКЕ=10-3 1/С0.
Конденсаторы C1,C4,С5 конденсаторы неизменной емкости глиняние, с рабочим напряжением ниже 1600В, с наибольшим отклонением от номинального значения емкости 10%, ТКЕ = 0,01. Избираем конденсаторы К-10-5, они разрешают получить высшую емкость в единице размера, имеют размеренную емкость, устойчивы к изменениям температуры.
С1 — 0,1 мкФ0,4; Uн=50В;ТКЕ=10-3 1/С0;
С4,С5 — 22 пФ0,4; Uн=50В;ТКЕ=10-3 1/С0.
Диоды VD1…VD4: RS407 — диодная сборка. Избираем RS407 — кремниевый диффузионный диодик, он соответствует всем характеристикам, стабилен в работе, доступен в стоимости. Наибольший прямой ток — 4 А, наибольшее оборотное напряжение — 1000В, температура окружающей среды -60 +130 С0. VD5: д814б — стабилитрон малой мощности. Номинальное напряжение стабилизации — 9В, наибольшая мощность 340Вт. HL1: АЛ301А — светодиод. Номинальное напряжение — 3,15В, ток — 20 мА.
Трансформатор избираем трансформатор ТПП-207-220-35. Это компактный дешевенький трансформатор, использующийся для питания п/п устройств .
характеристики:
— f = 50 Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ);
— U1 = 220 B;
— U2 = 9 В.
Микросхема DD1: pic16f870 — микроконтроллер. 3,5 кб флеш-памяти установок, 128 б электрически программируемой памяти, 128 б статической памяти DA1: LM2931 — стабилизатор напряжения. Данная микросхема создана для вторичных источников питания, является стабилизатором фиксированного напряжения, недорога и доступна в продаже.
характеристики:
— спектр рабочих напряжений — 25 В;
— наибольший потребляемый ток 120 мА;
— напряжение стабилизации — 5 В;
— спектр рабочих температур составляет от -65С0 — +150 С0.
Индикатор избираем семисегментный, дешевый удовлетворяющий данным характеристикам. HG1-HG4: LTC5461AS R — индикатор семисегментный. Потребление тока наименее 30мА. Отображение инфы: 4 знака 7 частей.
Кварцевый резонатор избираем среднечастотный резонатор, имеющий стабильность и точность частоты удовлетворяющую бытовым устройствам. Дешевый. Наибольшее отклонение от номинала составляет 0.1%.
ZQ1: 20 МГц.
Аккумуляторная батарея. Напряжение — 9В, ток — 800 мА.
Предохранитель избираем быстродействующую компактную плавкую вставку ВП-1. FU1: ВП-1 — глиняний предохранитель, 250В,0,2А.
Переключатели SB1,SB2 — кнопочные без фиксации и с возвратом в начальное состояние. SA1,SA2 — с фиксацией.
XP1 — шнур питания подключения к устройству.
XS1 — гнездовой соединитель.
Транзисторы КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта)315 — кремниевый частотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n — проводимости в корпусе КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта) — 13. КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта)817 — кремниевый биполярный транзистор.
Расположено на /
2. Расчетная часть
2.1 Электронный расчет каскадов
2.1.1 Расчет маломощного трансформатора
Расчет маломощного трансформатора осуществляется на базе методики, изложенной .
Расчет трансформатора целенаправлено начать с выбора магнитопровода, т. е. определения его конфигурации и геометрических размеров.
Более обширно всераспространены три вида конструкции магнитопроводов, приведенные на рис. 3.
Для малых мощностей, от единиц до 10-ов Вт, более комфортны броневые трансформаторы. Они имеют один основа с обмотками и ординарны в изготовлении.
Трансформатор с кольцевым сердечником (торроидальный) может употребляться при мощностях от 30 до 1000 Вт, когда требуется малое рассеяние магнитного потока либо когда требование малого размера является главным. Имея некие достоинства в объеме и массе перед иными типами конструкций трансформаторов, торроидальные являются вкупе с тем и менее технологичными (комфортными) в изготовлении.
Набросок 6 — Конструкции магнитопроводов трансформаторов: а) броневого пластинчатого; б) броневого ленточного; в) кругового ленточного
Начальные данные: напряжение сети U1=220 B; частота сети f=50 Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ); характеристики вторичной обмотки U2=9 В, I2=0,8 А.
Мощность трансформатора в согласовании с формулой (1):
Рг=U2*I2 (1)
Pг=9*0,8=7.2 B*A
Избираем сталь 1511, магнитопровод из пластинок шириной 0,5 мм, у которого kC=0,93, а так же находим характеристики, надлежащие Pг=7,2 B*A, а конкретно, В=1,1 Тл, J=4,8 A/мм2, k0=0,22, з=0,85
ток I1 в согласовании с формулой (2) и с учетом, что cosц=0,9:
(2)
Начальная расчётная величина ScSo в согласовании с формулой (3) определяется:
(3)
см4
Согласно приобретенному ScSo вбираем броневой магнитопровод из пластинок Ш20х32, у которого ScSo=64 см4 со последующими параметрами: а=20 мм, с=20 мм, h=50 мм, b=12 мм, Sc=5,82 см2
Число витков в обмотках трансформатора согласно формулам (4) и (5):
(4)
(5)
где =5ч4, =10ч8
Сечение проводов обмоток в согласовании с формулой (6) определяется:
(6)
По отысканным сечениям проводов для провода марки ПЭВ-1 находим надлежащие поперечникы проводов обмоток с изоляцией. Таковым образом,
d1=0,135 мм, d2=0,55 мм.
Определяем возможность размещения обмоток в окне избранного магнитопровода, для чего же производим расчёты согласно формулам (7), (8), (9):
— число витков в первичной обмотке в одном слое:
(7)
где h-высота окна магнитопровода, мм;
е1-расстояние обмотки до ярма, обычно е1=2ч5 мм;
d1-диаметр провода обмотки, мм.
Приобретенное
— число слоёв обмотки:
(8)
Приобретенное
— толщина обмотки:
д1=m1(d1+г1) (9)
где г1 — толщина изоляционной прокладки, которая применяется, если напряжение меж сломяи превосходит 50 В (г1=0,05ч0,08 мм).
Обмотка щ1:
Число витков в одном слое обмотки:
щ11=(50-2*3.5)/0,135=319
Число слоёв обмотки
m1=1478/319=4,6 Примем m1=5
Толщина всей обмотки д1 с учётом, что г1=0
д1=5*0,135=0,675 мм.
Обмотка щ2:
Число витков в одном слое обмотки:
щ12=(50-2*3.5)/0,55=78
Число слоёв обмотки
m2=58/78=0,74 Примем m1=1
Толщина всей обмотки д2 с учётом, что г2=0
д2=1*0,55=0,55 мм.
Нужная ширина окна определяется в согласовании с формулой (10):
СНЕОБХ=k(е2+д1+ д1,2+ д2+ д2,3+…+ дN-1+ дN-1,N+ дN + е3)+ е4 (10)
где k-коэффициент разбухания обмоток за счёт неплотного прилегания cлоёв, k=1,2ч1,3;
е2—толщина изоляции меж обмотками и стержнем, е2=1,0ч2,0 мм;
е3—толщина внешной изоляции катушки, е3=0,5ч1,0 мм;
е4—расстояние от катушки до второго стержня, е4=1ч4 мм;
д1,2, д2,3, …, дN-1,N—толщина изоляции меж обмотками, она составляет 0,5ч1,0 мм.
Учитывается, что k=1,25; е2=1,5; д1,2= д2,3=0,75; е3=0,75; е4=2,5.
СНЕОБХ=1,25(1,5+0.675+0,75+0,55+0,75+0,75)+2,5=8,7 мм.
Таковым образом, СНЕОБХ не превосходит ширину окна избранного магнитопровода, которая равна 20 мм, как следует, обмотки трансформатора разместятся в окне данного магнитопровода.
2.1.2 Расчет параметрического стабилизатора
Начальные данные (номинальные значения): выпрямленное напряжение в перегрузке UОН=12В; выпрямленный ток в перегрузке IО=0,8 А; коэффициент пульсации выпрямленного напряжения на перегрузке kП.Н.=1%; напряжение сети U1=220 В; частота сети fС=50 Гц (единица частоты периодических процессов в Международной системе единиц СИ); рабочий спектр температур ДТОКР= -50ч60єc; мощность в перегрузке РОН= UОН· IО=12*0,8=9,6 В·А
Применяется однофазная мостовая схема выпрямления с фильтром, начинающимся с конденсатора, который обозначается С3.
Коэффициент пульсации выпрямленного напряжения принимается Kп.вх=15%
Напряжение на выходе схемы выпрямления
Uo=Uoн[1+0,01(?Uф/ Uoн)]=12(1+0,0110)=13,2 B
Главные характеристики диодов схема определяются по [таблице 1], согласно которой ориентировочное
Iпр.и.п.=3,5Io=3,50,8=2.8 A;
Iпр.ср=Io/2=0,8/2=0.4 A;
Uобр.и.п.=1,5Uo=1,513,2=19,8 B
В согласовании с этими данными избираем диодную сборку RS407 со последующими параметрами при окружающей температуре -60 +130%;
Iпр.ср.max=4 А> Iпр.ср;
Uобр.max=1000 B> Uобр.и.п;
Iпр.и.max= 6Iпр.ср.max=60> Iпр.и.прибл.;
Uпр.ср=1B
Таковым образом, Nпосл=1
1. Активное сопротивление обмоток трансформатора, приведённое ко вторичной обмотке, определяется согласно формуле (11)
(11)
2. Дифференциальное сопротивление диодов определяется согласно формуле (12):
(12)
3. Активное сопротивление фазы выпрямителя определяется согласно формуле (13)
ro=2rдиф+rтр (13)
ro=20.83+1.3=2.99 Ом
4. Индуктивность рассеяния обмоток трансформатора определяется согласно формуле (14)
(14)
5. Соотношение меж активным и реактивным сопротивлением фазы выпрямителя определяется по формуле (15)
(15)
ц=2,2є
6. Вспомогательный коэффициент определяется по формуле (16)
(16)
7. Расчетные коэффициенты B, D, F и H определяются по графикам: B=1,6; F=3,7; D=1,8; H=49000
8. Уточняется
(17)
; Iпр.и=1.48А<4А
Таковым образом, вентиль RS407 по току избран верно.
9. электронные характеристики трансформатора.
U2= BUo=1,613,2=18,5 B (18)
(19)
(20)
Pг=1,5Ро=1,5UoIo=1,513,20.8=15,8 BA (21)
10. Проверка избранного диодика по оборотному напряжению:
Uобр=1,41U2=1,4118,5=26 B < 1000 B
Таковым образом, по оборотному напряжению вентиль RS407 избран верно.
11. Входная емкость фильтра С3 определяется согласно формуле (22)
где =15% (22)
Принимаем наиблежайшее обычное
Коэффициент пульсации, соответственный С3 определяется по формуле (23)
(23)
2.1.3 Расчет диодика
Требуется высчитать токоограничивающий резистор для питания диодика
Схема включения диодика приведена на рисунке 7.
Набросок 7 — Схема включения диодика
Расчёт резистора делается по формуле:
R = U — dU/I (24)
где R — сопротивление резистора;
U — напряжение питания;
dU — падение напряжения;
I — номинальный ток светодиода.
Избираем диодик с номинальным напряжением 3,15В и номинальным током 0,02А.
R = 5 — 3,15 / 0,02 = 92,5 Ом. Избираем резистор 100 Ом.
2.2 Расчет надежности изделия
Начальные данные вносим в таблицу 1, в какой содержится список, тип и количество применяемых компонент, и произведем их анализ.
Надёжность — свойство изделия делать данные функции в определенных критериях эксплуатации при сохранении значений главных характеристик в заблаговременно установленных границах.
Надежность РЭС в итоге зависит от количества и свойства входящих в него частей и от критерий его эксплуатации.
Высококачественными чертами надежности являются безотказность, ремонтопригодность, долговечность и сохраняемость.
Если при работе либо хранении аппаратуры вышло нарушение работоспособности изделия, то такое событие именуют отказом. Отказы могут быть неожиданными и постепенными.
При конструировании аппаратуры нужно принимать конструктивные меры по увеличению ее надежности. нужно также учесть, что надежность можно повысить на шаге проектирования, производства и эксплуатации.
Количественные свойства надежности вводятся с целью сопоставления разных типов изделий либо образцов изделий 1-го и такого же типа.
одной из таковых черт является возможность неотказной работы изделия в течение данного интервала времени tp: О < P(tp) < 1.
Эта формула дает возможность найти какая часть изделий будет работать исправно в течение данного времени tp. Возможность неотказной работы можно найти по формуле:
P(tp) ? b / а , (25)
где b — количество ЭРЭ, работающих исправно;
а — полное количество ЭРЭ.
Возможность неотказной работы, не считая зависимости от физических параметров ЭРЭ, зависит также от времени tp, в течении которого изделие обязано работать безотказно:
P(tp) = e- лtр, (26)
где е — основание логарифма;
л — интенсивность отказов;
tp — время неотказной работы.
Расчёт надёжности РЭС делается по методике, изложенной в [11], и осуществляется в последующем порядке:
а) нужно проанализировать начальные данные, в каких содержатся:
— Список применяемых компонент;
— количество применяемых компонент;
— Температура окружающей среды и фактическое
б) Составляем таблицу аналогичную таблице 2.3 [11], в какой находятся вместе с начальными данными, также и расчетные величины.
в) По данным, содержащимся в справочниках и ТУ на радиокомпоненты, определяем
г) По формулам (2.7 — 2.10) [11] производим расчёты коэффициента перегрузки:
Таблица 1 — Список, тип и количество применяемых компонент
Наименование компонента
Тип
количество
Резисторы
МЛТ — 0,125
13
Конденсаторы
К50 — 35
2
К10 — 5
3
Диоды
RS407
Д814Б
АЛ301А
4
1
1
Микросхемы
Pic16f870
LM2931
1
1
Трансформатор
ТПП-207-220-35
1
Индикатор
LTCS5461AS R
1
Переключатели
SB
SA
2
2
Предохранитель
ВП — 1
1
Кварцевый резонатор
20 МГц
1
транзистиры
КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта)315
КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта)817
1
1
Пайка
86
По формулам (2.7 — 2.10) [11] выполняются расчёты коэффициента перегрузки:
Резисторы:
, (27)
где — фактическая мощность, рассеиваемая на резисторе;
— номинальная мощность, рассеиваемая на резисторе.
МЛТ — 0,125: Кн = 0,008 / 0,0125 = 0,064
Конденсаторы:
, (28)
где — фактическое напряжение, прикладываемое к конденсатору;
— номинальное напряжение, прикладываемое к конденсатору.
К50 — 35: Кн = 24 / 25 = 0,96;
К10 — 5: Кн = 5 / 100 = 0,05.
Диоды:
, (29)
где — фактическое
— номинальное тока.
RS407: Кн = 1 / 3 = 0,33;
Д814б: Кн = 1,2 / 3 = 0,4;
АЛ301А: Кн = 0,02 / 0,02 = 1.
Микросхемы:
, (30)
где — фактическое напряжение питания ИМС;
— наибольшее напряжение питания ИМС.
Pic16f870: Кн = 0,02 / 0,03 = 0,67;
LM2931: Кн = 0,5 / 1 = 0,5.
Трансформатор:
, (31)
где — фактическое напряжение;
— номинальное напряжение.
ТПП-207-220-35: Кн = 9 / 12 = 0,75
Индикаторы:
, (32)
где — фактическое напряжение;
— номинальное напряжение.
LTCS5461AS R: Кн = 3,3 / 5 = 0,66.
Переключатели:
, (33)
где — фактическое напряжение;
— наибольшее допустимое напряжение.
SB: Кн = 5 / 220 = 0,02;
SA: Кн = 220 / 1000 = 0,022.
Предохранитель:
, (34)
где — фактическое
— номинальное тока.
ВП-1: Кн = 0,03 / 0,2 = 0,015.
Кварцевый резонатор:
, (35)
где — фактическое напряжение;
— номинальная напряжение.
ZQ: Кн = 5 / 10 = 0,5.
Транзисторы:
Кн = Рс / Рс max, (36)
где Рс — фактическая мощность рассеиваемая на коллекторе;
Рс max — очень допустимая мощность рассеивания на коллекторе.
КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта)315 : Кн = Рс / Рс max =0.25/0.150 = 0.16
КТ (Компьютерная томография — метод неразрушающего послойного исследования внутренней структуры объекта)817 : Кн = Рс / Рс max =0.25/25 = 0.01
По таблице 2 интенсивности отказов определяем
Таблица 2 — Интенсивность отказов радиокомпонентов
Наименование радиокомпонента
ло 10 — 6, 1/ч
Диоды кремниевые:
Выпрямительные
Всепригодные
Импульсные
Стабилитроны
0,2
0,1
0,5
0,1
Транзисторы кремниевые малой мощности:
Низкочастотные
Среднечастотные
Высокочастотные
0,5
0,25
0,2
Транзисторы кремниевые средней мощности:
Среднечастотные
Высокочастотные
1,3
0,5
Транзисторы полевые:
0,1
Конденсаторы:
Глиняние, пленочные
Стеклянные
Бумажные
Электролитические дюралевые
0,05
0,1
0,1
0,5
Резисторы
Непроволочные
проволочные
0,04
0,05
ИМС
2…3
Коммутационные изделия (переключатели, клавиши)
1,0
Трансформаторы
0,8
один контакт соединителя типов:
РМ
СНЦ
РН
СНП
0,003
0,002
0,02
0,005
Пайка
0,005
Таковым образом получаются начальные данные:
— резисторы ;
— конденсаторы ;
— конденсаторы ;
— диоды ;
— диоды ;
— диоды ;
— микросхемы ;
— трансформатор
— индикаторы
— переключатели ;
— предохранитель ;
— кварцевый резонатор ;
— транзисторы ;
— пайка .
Из таблицы 3 определяется также для всякого компонента доп коэффициент , учитывающий температуры и коэффициента перегрузки) по формуле (37).
, (37)
где — коэффициент воздействия температуры;
— интенсивность отказов для группы компонент.
Таблица 3 — Зависимостьот
Т, °C
0,1
0,3
0,5
0,8
1
Кремниевые полупроводниковые приборы
40
0,05
0,15
0,30
1
—
Глиняние конденсаторы
40
0,20
0,30
0,50
1
1,4
Бумажные конденсаторы
40
0,50
0,60
0,80
1
1,2
Электролитические дюралевые конденсаторы
40
0,65
0,80
0,90
1,1
1,2
Металлооксидные тонкопленочные резисторы
40
0,45
0,60
0,80
1,1
1,35
Рассчитывается для всякого элемента:
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
.
Все значения заносятся в надлежащие графы таблицы 5. Для расчета учета воздействия температуры выбирается температура .
Рассчитываются (интенсивность отказов всех ЭРЭ) для каждой группы компонент по формуле (36).
, (38)
где — число компонент, входящих в группу;
— интенсивность отказов группы компонент. Рассчитывается для каждой группы компонент:
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
.
Находится
(39)
Все рассчитанные и начальные данные заносятся в таблицу 5, которая служит основанием для последующих расчетов.
Определяется средняя наработка на отказ по формуле:
, (40)
при , получим:
;
Рассчитывается времени работы узла РЭС по формуле:
, (41)
Расчет вероятности неотказной работы делается по формуле 41, результаты заносятся в таблицу 4 и отражаем на рисунке 8.
Таблица 4 — Расчет неотказной работы изделия
Время работы (tр), ч.
Возможность неотказной работы Р(tр)
100
0,999
1000
0,995
10000
0,948
100000
0,586
Набросок 8 — График неотказной работы
2.3 Расчет размера печатной платы
При выполнении расчётов употребляются справочные данные о габаритных размерах электрорадиоэлементов (ЭРЭ) либо создают измерения установочных размеров ЭРЭ с учетом избранного метода размещения и крепления их на печатной плате.
Для обеспечения оптимизации размещения ЭРЭ на печатной плате, размер платы должен выбираться (рассчитываться) с определённым припасом. Коэффициент припаса площади (плотности монтажа) для большинства узлов РЭС выбирают в границах Кз = 1,0 — 2,5.
Расчёт делается в последующей последовательности:
Расчет площади, занимаемой всеми ЭРЭ данного типа в проектируемом печатном узле РЭС:
Начальные данные для расчёта являются справочными данными:
Установочная площадь: резисторы R3…R8, R10…R13: МЛТ — 0,125 — 38 мм2 (10 шт.); конденсаторы С2: К50 — 35 — 40 мм2 (1 шт.); конденсаторы С1,С4,С5: К10 — 5 — 40 мм2 (3 шт.); микросхемы DD1: pic16f870 — 350 мм2 (1 шт.); DA1: LM2931 — 35 мм2 (1 шт.); кварцевый резонатор ZQ1: 20,0 МГц — 40 мм2 (1 шт.).
Коэффициент припаса (1 — 2,5) избираем Кз = 2,5.
Расчёт площади, занимаемой всеми ЭРЭ данного типа делается по формуле:
, (42)
где n(R,C,DD,DA,VT,BA) — количество ЭРЭ данного типа;
Si — установочная площадь 1-го ЭРЭ данного типа в мм2;
Рассчитываем площадь, занимаемую ЭРЭ соответственного типа:
;
;
;
;
.
Расчёт общей площади частей монтажа:
.
4) Определяем установочную площадь всех частей на плате с учетом площади уголков для крепления платы и площади монтажных проводов.
Sуст.= Sобщ.* Кустик , (43)
где Кустик — коэффициент установки. Кустик.=1,2;
Sуст.= Scум.*1,2
S уст = 969*1,2 =1163 мм2
5) Расчёт площади печатной платы с учётом коэффициента площади монтажа делается по формуле:
, (44)
где Sуст — общая площадь частей монтажа;
Кз — коэффициент припаса.
Sпп = 1163*2,5 =2908 мм2
6) Выбирается соотношение сторон по удобству расположения и крепления платы в конструкции узла РЭС: 1:1.
7) Расчет размера сторон платы:
, (45)
Хр= (46)
Хр = 54мм
Длина платы с учетом кратности в согласовании с ГОСТ 10317 — 79 равна 55мм. Ширина платы 55мм.
2.4 Расчёт печатного монтажа
Печатные платы владеют электронными и конструктивными параметрами.
К электронным характеристикам относятся:
t — ширина печатного проводника;
S — расстояние меж печатными проводниками;
b — круговая ширина контактной площадки;
R — сопротивление печатного проводника;
C — емкость печатного проводника;
L — индуктивность печатного проводника.
К конструктивным характеристикам печатных плат относятся:
— размеры печатной платы;
— поперечникы и количество монтажных отверстий;
— поперечникы контактных площадок;
— малое расстояние меж центрами 2-ух примыкающих отверстий для прокладки подходящего количества проводников.
Расчет печатного монтажа делается в последующей последовательности:
Начальные данные для расчета:
— наибольшее рабочее напряжение в электронной схеме: 9В;
— очень вероятный ток через печатный проводник Imаx = 0,1 А;
— размер печатной платы равен 55*55 мм.
1. Мало допустимая ширина проводника:
tmin Imax /( hФ х J),: (47)
где I — ток, А, протекающий по проводнику- берется из начальных данных (О,1 А).
hФ- толщина фольги hф = 0,05 мм);
j — плотность тока, А/мм2.
Очень допустимая плотность тока для печатных проводников последующая:
30 А/мм2 для наружных слоев печатной платы бытовой аппаратуры;
20 А/мм2 для наружных слоев печатной платы специальной аппаратуры;
15 А/мм2 для внутренних слоев мультислойной печатной платы.
t = 0,1/0,05*30 = 0,07мм.
2. Мало допустимое расстояние (зазор) меж 2-мя печатными проводниками.
Малое расстояние S меж печатными проводниками определяется из суждений обеспечения электронной прочности. значения допустимых рабочих напряжений меж элементами проводящего рисунка, расположенные на внешнем слое печатной платы, приведены в таблице 6. Расчёт малого расстояния меж 2-мя печатными проводниками делается исходя из наибольшего рабочего напряжения в электронной схеме. Для напряжения питания 9В, при использовании стеклотекстолита в качестве основания печатной платы, малое расстояние меж проводниками составляет 0,2 мм.
Таблица 6 — Допустимые рабочие напряжения
Расстояние меж элементами проводящего рисунка
ГФ
СФ
От 0,1 до 0,2 мм
—
25
Св.0,2 » 0,3 »
30
50
» 0,3 » 0,4 »
100
150
» 0,4 » 0,7 »
150
300
» 0,7 » 1,2 »
300
400
» 1,2 » 2,0 »
400
600
Зная t и S, из конструктивных суждений выбирается класс точности печатной платы.
Меньшие номинальные значения главных размеров частей конструкции печатных плат для узенького места зависимо от класса точности приведены в таблице 7.
Таблица 7- Номинальные значения главных характеристик для различных классов точности
Условное обозначение
Номинальное
1
2
3
4
5
t, мм
0,75
0,45
0,25
0,15
0,10
S, мм
0,75
0,45
0,25
0,15
0,10
b, мм
0,30
0,20
0,10
0,05
0,025
г *
0,40
0,40
0,33
0,25
0,20
* г — отношение номинального значения поперечника меньшего из металлизированных отверстий к толщине печатной платы.
Российским эталоном ГОСТ 23751-86 предусматривается 5 классов точности (плотности рисунка) ПП (см. таблицу). Выбор класса точности определяется достигнутым на производстве уровнем технологического оснащения. В КД обязано содержаться указание на нужный класс точности ПП.
Платы первого и второго классов точности ординарны в изготовлении, дешевы, не требуют для собственного производства оборудования с высочайшими техническими показателями, но не различаются высочайшими показателями плотности компоновки и трассировки.
Для производства плат 4-ого и 5-ого классов требуется спец высокоточное оборудование, особые материалы, безусадочная пленка для производства фотошаблонов, безупречная чистота в производственных помещениях, прямо до сотворения «незапятнанных» участков (гермозон) с кондиционированием воздуха и поддержанием размеренного температурно-влажностного режима. Технологические режимы фотохимических и гальвано-химических действий должны поддерживаться с высочайшей точностью.
Массовый выпуск плат третьего класса освоен главный массой российских компаний, так как для их производства требуется рядовое, хотя и спец оборудование, требования к материалам и технологии не очень высоки. Избираем класс точности 3-ий
Выбрав класс точности производства печатной платы, можно обусловиться со методом производства печатной платы.
Для производства печатных плат употребляют фольгированный гетинакс и фольгированный стеклотекстолит, которые могут быть однобокими и двухсторонними. Выбор материала выбирается из конструктивных суждений. Следует держать в голове, что гетинакс дешевле стеклотекстолита, но если плата обязана быть двухсторонней либо изделие будет эксплуатироваться в критериях завышенной влажности, завышенных механических нагрузок либо в томном температурном режиме, то следует применять стеклотекстолит. Не считая того, сцепление фольги со стеклотекстолитом лучше, чем с гетинаксом, и фольгированный стеклотекстолит выдерживает большее число перепаек, не отслаиваясь. Более всераспространенные марки фольгированных диэлектриков последующие:
ГФ-1-35, ГФ-1-50, ГФ-2-50, СФ-1-35, СФ-1-50, СФ-2-35, СФ-2-50, где 1-ые две буковкы означают вид диэлектрика, 1-ая цифра гласит о том однобокий либо двухсторонний фольгированный диэлектрик, последующие две числа указывают на толщину фольги в микрометрах. Избираем:
— материал печатной платы: однобокий фольгированный стеклотекстолит марки СФ-1-35-1,5;
— способ производства печатной платы: хим;
— способ получения проводящего рисунка: офсетная печать;
— резистивное покрытие печатных проводников: сплав «Розе».
3. Сопротивление печатного проводника рассчитывается по формуле:
(48)
где с — удельное сопротивление меди, Ом·мм2/м;
l — длина проводника, м.(измеряется)
t — малая ширина проводника
h — толщина проводника
Удельное сопротивление меди зависит от способа производства проводящего слоя. Если проводники формируются способом хим травления фольги, то удельное сопротивление меди будет равно 0,0175 Ом·мм2/м, а при химическом наращивании меди пленка наиболее рыхловатая и удельное сопротивление равно 0,025 Ом·мм2/м, при комбинированном способе производства печатной платы, когда проводники получаются способом хим травления, а металлизация отверстий делается способом химического наращивания, удельное сопротивление будет равно 0,020 Ом·мм2/м.
с =0,0175 Ом·мм2/м;
l =для более длинноватого 0,0375 м;
t = 0,15мм;
h = 0,05мм.
R = 0,175*0,064/0,05*0,07 = 0,3 Ом
4. Sпp — суммарная площадь печатных проводников в виде линий:
, (49)
где — ширина печатного проводника, 0,15;
— общая длина печатных проводников, 444 мм;
.
5. SКПП- суммарная площадь контактных площадок:
, (50)
где — радиус контактной площадки;
— радиус отверстия;
— количество контактных площадок ,86 шт. ;
Поперечникы монтажных отверстий должны быть несколько больше поперечников выводов ЭРЭ, при этом
dО = dВ + , (51)
при d ? 0,8 мм Д = 0,2 мм,
при d > 0,8 мм Д = 0,3 мм,
при всех d Д = 0,4 мм, если ЭРЭ инсталлируются автоматизировано.
Поперечник выводов равен 0,8мм, как следует поперечникы монтажных отверстий будут равны:
dО = 0,8 + 0,2 = 1мм
Рекомендуется на плате иметь количество размеров монтажных отверстий не наиболее 3-х. Потому поперечникы отверстий, близкие по значению, наращивают в сторону большего, но так, чтоб разница меж поперечником вывода и поперечником монтажного отверстия не превосходила 0,4 мм. Поперечникы контактных площадок определяются по формуле:
dк = dо + 2 b + Дd, (52)
где b — круговая ширина контактной площадки, мм, определяется по таблице 7
Дd — предельное отклонение поперечника монтажного отверстия, мм;
dк = 1 + 2*0,1 +0,2 = 1,4мм.
Rотв = dк/2
Rк = 0,7мм.;
Rотв = 0,4 мм.;
n1 = 86 шт.;
6. SПП — суммарная площадь печатных проводников, мм2.
, (53)
Где SКПП — площадь контактных площадок;
SПР — суммарная площадь печатных проводником в виде линий.
Sпп = 121 + 66,6 = 187,6
7. Паразитная емкость печатной платы:
(54)
где — диэлектрическая проницаемость диэлектрика (для стеклотекстолита 5);
h — толщина платы;
SПП — суммарная площадь печатных проводников, мм2.
С = 9=5,6пФ
8. Площадь металлизации:
Так как маркировка ЭРЭ и условное обозначение платы производится краской, то площадь металлизации равна площади проводящего слоя:
, (55)
где SПП — площадь печатных проводников (Sпп =187,6
Sмет.= Sпп = 187,6мм2.
Рассчитанное
9. Паразитная поверхностная емкость меж примыкающими проводниками:
, (56)
где k — коэффициент, зависящий от ширины проводников и их обоюдного расположения;
е — диэлектрическая проницаемость материала платы: ;
ln — длина обоюдного перекрытия проводников, мм.
10. Расчет масс печатной платы и сборочной единицы.
Массу печатной платы, определим по формуле:
m = mп + mф, (57)
где mп — масса платы,г;
mф, — масса фольги,г.
Масса печатной платы и масса фольги рассчитывается по формуле:
m = ЧV (58)
где mп — масса,г;
— удельная плотность г/см3;
V — размер,
Определяютя по справочникам:
— толщина фольги: hф= 0.05 мм ;
— удельная плотность фольги 2,6*103кг/м3;
— удельная плотность стеклотекстолита 1700 — 1800кг/м3;
— толщина платы Н = 1,5 мм.
mп = 1700*0,1*0,05*0,0015 = 12,75г
mф = 2,6*103*0,1*0.05**35*10—6 = 0,455г
m = 12,75 + 0,455 = 13,2г
Определяется масса печатной платы с элементами. Результаты расчетов записываются в таблицу8
Таблица 8 — Вес отдельных частей устройства.
Наименование
Вес, гр
количество, штук
Общий вес, гр.
Резисторы
0.1
10
1
Конденсаторы
5
1
5
0.5
3
1.5
Микросхемы
12
1
12
5
1
5
Кварцевый резонатор
10
1
10
Пайка
0,001
86
0,086
Просуммировав массу отдельных частей, получаются:
Общая масса частей:
mэ = 34,586 г.
Общая масса устройства
M = mэ + mп = 34,586 +13,2 =47,786 г.
2.5 Расчет технологичности изделия
Согласно ГОСТ 14.205-83 «Технологичность конструкции изделий. определения и определения»: технологичность конструкции изделия — это совокупа параметров конструкции изделия, определяющих ее приспособленность к достижению хороших издержек труда, при производственном изготовлении и техническом обслуживании для данных характеристик свойства размера выпуска и критерий выполнения работ.
Количественной оценкой технологичности конструкции является суммарный показатель, в состав которого входят конструкторские и технологические характеристики деталей и узлов изделия.
Согласно ОСТ 4ГО.091.219 81, все блоки по технологичности делятся на четыре главные группы: электрические, радиотехнические, электромеханические, коммутационные.
Для оценки технологичности употребляют систему относительных личных характеристик (Кi) и полный показатель (Кк) который сравнивается с нормативным всеохватывающим показателем технологичности (Кн), разрабатываемым как средний для данного класса изделий и приведенным в таблице 9 (см. [2], [3]). Если Кк>Кн, то система считается технологичной.
Таблица 9 — значения нормативных характеристик технологичности [5]
Наименование класса изделий
Кн
1. электрические приборы
0,5…0.7
2. Радиотехнические приборы
0.4…0,6
3. Электромеханические приборы
0,45… 0,65
Различают производственную, эксплуатационную и ремонтную технологичность конструкции.
Производственная технологичность описывает размер работ по технологической подготовке производства (ТПП), сложность производства, удобство монтажа вне компании — изготовителя.
Количественной оценкой производственной технологичности конструкции является суммарный показатель, в состав которого входят конструкторские и технологические характеристики деталей и узлов изделия.
Конструкторские характеристики определяют конструктивную преемственность — совокупа параметров изделия, характеризуемую повторяемостью в нем составных частей, относящихся к изделиям данной систематизации группы, и применяемостью новейших составных частей, обусловленных его многофункциональным предназначением, также сложностью сборки.
Технологические характеристики определяют технологическую преемственность конструкции, приспособленность её к механизации и автоматизации при изготовлении, также сложностью обработки деталей. Под технологической преемственностью соображают совокупа параметров изделия, характеризуемую применяемостью и повторяемостью технологических способов выполнения узлов и их конструктивных частей, относящихся к изделиям данной классификационной группы. Для всякого типа блоков из общего состава определяется семь характеристик технологичности, оказывающих наибольшее воздействие, любой из которых имеет свою весовую характеристику. Главные конструкторские и технологические характеристики конструкции приведены в таблице 10.
Таблица 10 — Главные характеристики технологичности РЭС [5],
систематизация
характеристик
Наименование показателя
Обозначение
Конструкторские
1. Коэффициент освоенности деталей и сборочных единиц (ДСЕ)
KОСВ ДСЕ
2. Коэффициент использования ИМС и микросборок
КИСП ИС
3. Коэффициент повторяемости типовых электрорадиоэлементов (ЭРЭ)
КПОВ ЭРЭ
4. Коэффициент применяемости типоразмеров уникальных деталей
КПР ОР Д
5. Коэффициент трудности сборки
КСЛ СБ
Технологические
1. Коэффициент механизации подготовки ЭРЭ к
Монтажу
КМП ЭРЭ
2. Коэффициент автоматизации и механизации монтажа изделия
Кам
3. Коэффициент применяемости типовых техпроцессов
КПОВ ЭРЭ
4. Коэффициент автоматизации и механизации контроля и опции изделия
КАМ КН
5. Коэффициент использования материалов
Ким
6. Коэффициент трудности обработки
КСЛ
7. Коэффициент точности обработки
КТЧ
8. Коэффициент прогрессивности формообразования деталей
Кпф
Для радиотехнических устройств избираем характеристики технологичности в согласовании с таблицей 11
Таблица 11 — характеристики технологичности радиотехнических устройств
qi
Коэффициенты
Обозначение
цi
1Т
автоматизации и механизации монтажа
КАМ
1,0
2Т
Автоматизации и механизации подготовки
ЭРЭ к монтажу
Кмп ЭРЭ
1,0
3К
Освоенности ДСЕ
Косв
0,8
4К
Использования микросхем и микросборок
Кисп ис
0,5
5К
Повторяемости печатных плат
Кпов пп
0,3
6Т
Внедрения типовых техпроцессов
Ктп
0,2
7Т
автоматизации и механизации регулировки и контроля
Ктп
0,1
Примечание: в графе qi буковкы нижнего индекса означают: «т» — технологический показатель, «к» — конструкторский показатель.
Любой показатель имеет свою весовую характеристику, определяемую зависимо от порядкового номера личного показателя таблица 12
Таблица 12 -Весовые свойства
g
f
g
f
1
2
3
4
1,0
1,0
0,8
0,5
5
6
7
0,3
0,2
0,1
Весовая черта рассчитывается по формуле 59:
F = g/, (59)
где g — порядковый номер последовательности личных характеристик
Дальше осуществляем расчет соответственных коэффициентов:
1) Коэффициент автоматизации и механизации монтажных соединений:
, (60)
где — число монтажных соединений, выполняемых с внедрением автоматизации и механизации;
— общее число монтажных соединений.
.
2) Коэффициент механизации подготовки ЭРЭ к монтажу:
, (61)
где — число ЭРЭ, приготовленных механизированно к монтажу;
— общее число всех ЭРЭ.
.
3) Коэффициент освоенности деталей и сборочных единиц:
Косв = 1 — Дорвей / Д, (62)
где — число типоразмеров (число типов с разными размерами) уникальных деталей (платы печатные, радиаторы, соединители из ударопрочного полистирола, держатели предохранителей, корпусные — передняя, задняя панель; крепления), без учёта уникальных ЭРЭ;
— общее число типоразмеров деталей (типовые, ранее применённые) без учета крепежа.
.
4) Коэффициент использования ИС и микросборок:
, (63)
где — число ИС и микросборок, ;
— общее число ЭРЭ в изделии, .
.
5) Коэффициент повторяемости типовых ЭРЭ:
, (64)
где — число типовых ЭРЭ в изделии ;
]]>