Учебная работа. Доклад: Исследование полупроводникового диода
Лабораторная работа
Цель работы
Исследование параметров плоскостного диодика путём практического снятия и исследования его вольтамперной свойства.
Ход работы:
1. Подключить шнур питания к сети.
2. Переключателем «сеть» включить щит — при всем этом зажигается лампочка сигнализации.
3. Переключатель В — 1 поставить в положение 1.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диодику. Результаты измерений занести в таблицу № 1.
4. Переключатель В — 1 поставить в положение 2.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диодику. Результаты измерений занести в таблицу № 2.
UПР
,В
I, A
Uобр
, В
I, A
0,6
10
2,5
10
0,65
15
5
14
0,7
20
7
20
0,75
25
9
26
0,8
80
11
32
Обработка результатов опытов:
По данным таблицы 1, 2 в декартовой системе координат выстроить вольтамперную характеристику диодика.
Вывод
При помощи данной лабораторной работы мы обосновали что полупроводниковый диодик владеет однобокой проводимостью. Это указывает вольтамперная черта диодика. При маленьком напряжении U=0,8 B. на зажимах диодика в цепи проходит относительно большенный ток I=30 МА, а при значимом оборотном напряжении U=11 В., ток ничтожно мал I=32 МкА.
Ответы на контрольные вопросцы:
Е — запирающий слой, который препятствует перемещению электронов и дырок. Контакт 2-ух полупроводников р — типа и n — типа именуют р — n — переходом.
При таком соединении толщина запирающего слоя миниатюризируется, возрастает проводимость, возникает ток прямой либо пропускной.
Если поменять полярность источника, то электроны сместятся к положительным электродам, запирающий слой возрастет. Сопротивление р — n — перехода растет, а ток миниатюризируется (в 1000 раз по сопоставлению с прямым током). Этот ток именуется оборотным.
Точечно-плоскостные полупроводниковые диоды имеют изюминка в строении. У этих диодов кристалл германия (кремния) не вплавляется в донорную либо акцепторную примесь. В германиевом диодике на пластинку с электро проводимостью наклеивается табличка из индия. В процессе производства диодика, пластинку нагревают до 500 0
С, чтоб расплавленные атомы индия внедрились в германий, при всем этом образуя область с дырочной проводимостью.
Выпрямительные полупроводниковые диоды характеризуются током (прямым и оборотным) и напряжением электронного поля.
Увеличение температуры окружающей среды влияет на число вольных электронов и дырок, оно очень растет, а означает возрастает проводимость.
]]>