Учебная работа. Доклад: Исследование полупроводникового диода

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (5 оценок, среднее: 4,80 из 5)
Загрузка...
Контрольные рефераты

Учебная работа. Доклад: Исследование полупроводникового диода

.

Лабораторная работа

Цель работы

Исследование параметров плоскостного диодика путём практического снятия и исследования его вольтамперной свойства.

Ход работы:

1. Подключить шнур питания к сети.

2. Переключателем «сеть» включить щит — при всем этом зажигается лампочка сигнализации.

3. Переключатель В — 1 поставить в положение 1.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диодику. Результаты измерений занести в таблицу № 1.

4. Переключатель В — 1 поставить в положение 2.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диодику. Результаты измерений занести в таблицу № 2.


UПР

I, A
Uобр
, В
I, A

0,6
10
2,5
10

0,65
15
5
14

0,7
20
7
20

0,75
25
9
26

0,8
80
11
32

Обработка результатов опытов:

По данным таблицы 1, 2 в декартовой системе координат выстроить вольтамперную характеристику диодика.







Вывод

При помощи данной лабораторной работы мы обосновали что полупроводниковый диодик владеет однобокой проводимостью. Это указывает вольтамперная черта диодика. При маленьком напряжении U=0,8 B. на зажимах диодика в цепи проходит относительно большенный ток I=30 МА, а при значимом оборотном напряжении U=11 В., ток ничтожно мал I=32 МкА.

Ответы на контрольные вопросцы:

Е — запирающий слой, который препятствует перемещению электронов и дырок. Контакт 2-ух полупроводников р — типа и n — типа именуют р — n — переходом.

При таком соединении толщина запирающего слоя миниатюризируется, возрастает проводимость, возникает ток прямой либо пропускной.

Если поменять полярность источника, то электроны сместятся к положительным электродам, запирающий слой возрастет. Сопротивление р — n — перехода растет, а ток миниатюризируется (в 1000 раз по сопоставлению с прямым током). Этот ток именуется оборотным.

Точечно-плоскостные полупроводниковые диоды имеют изюминка в строении. У этих диодов кристалл германия (кремния) не вплавляется в донорную либо акцепторную примесь. В германиевом диодике на пластинку с электро проводимостью наклеивается табличка из индия. В процессе производства диодика, пластинку нагревают до 500 0
С, чтоб расплавленные атомы индия внедрились в германий, при всем этом образуя область с дырочной проводимостью.

Выпрямительные полупроводниковые диоды характеризуются током (прямым и оборотным) и напряжением электронного поля.

Увеличение температуры окружающей среды влияет на число вольных электронов и дырок, оно очень растет, а означает возрастает проводимость.


]]>